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Electro-Films (EFI) / Vishay SI4390DY-T1-E3
| Artikelnummer: | SI4390DY-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI4390DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4390DY-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SO Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V Verlustleistung (max) 1.4W (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Ta) SI4390DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SI4390DY-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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